Framleiðandi Vöru númer:
IMZA120R040M1HXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMZA120R040M1HXKSA1-DG
Lýsing:
SIC DISCRETE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Birgðir:
66 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976344
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMZA120R040M1HXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 8.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+20V, -5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1620 nF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-4-8
Pakki / hulstur
TO-247-4
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
448-IMZA120R040M1HXKSA1
SP005425989
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB042N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
