Framleiðandi Vöru númer:
IMZ120R350M1HXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMZ120R350M1HXKSA1-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Birgðir:
253 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801695
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMZ120R350M1HXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+23V, -7V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
182 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-4-1
Pakki / hulstur
TO-247-4
Grunnvörunúmer
IMZ120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP001808378
2156-IMZ120R350M1HXKSA1-448
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI80N06S207AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
