Framleiðandi Vöru númer:
IMYH200R024M1HXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMYH200R024M1HXKSA1-DG
Lýsing:
SIC DISCRETE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 2000 V 89A (Tc) 576W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Birgðir:
164 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13002461
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMYH200R024M1HXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
2000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 24mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
137 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+20V, -7V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
576W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-4-U04
Pakki / hulstur
TO-247-4
Grunnvörunúmer
IMYH200
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
448-IMYH200R024M1HXKSA1
SP005745284
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HV
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
