Framleiðandi Vöru númer:
IMYH200R012M1HXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMYH200R012M1HXKSA1-DG
Lýsing:
SIC DISCRETE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 2000 V 123A (Tc) 552W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Birgðir:
64 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13002630
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMYH200R012M1HXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
2000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
123A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 48mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
246 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+20V, -7V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
552W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-4-U04
Pakki / hulstur
TO-247-4
Grunnvörunúmer
IMYH200
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
SP005427368
448-IMYH200R012M1HXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVBG095N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
NVMJST0D9N04CTXG
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
G160N04K
MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
