Framleiðandi Vöru númer:
IMBG120R350M1HXTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMBG120R350M1HXTMA1-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Birgðir:
1518 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12945954
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMBG120R350M1HXTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
468mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.9 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+18V, -15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
196 pF @ 800 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
65W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7-12
Pakki / hulstur
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grunnvörunúmer
IMBG120
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
448-IMBG120R350M1HXTMA1TR
448-IMBG120R350M1HXTMA1CT
SP004463802
448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
CP771-CXDM4060P-CT
MOSFET P-CH 40V 6A DIE
CP805-CXDM4060P-CT
MOSFET P-CH 40V 6.4A DIE
CP771-CXDM4060P-WN
MOSFET P-CH 40V 6A DIE
