Framleiðandi Vöru númer:

IGLD60R190D1AUMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IGLD60R190D1AUMA1-DG

Lýsing:

GAN N-CH 600V 10A LSON-8

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Birgðir:

RFQ á netinu

13276459

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IGLD60R190D1AUMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

CoolGaN™

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

GaNFET (Gallium Nitride)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

600 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds á (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 960µA

Vgs (hámark)

-10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

157 pF @ 400 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

62.5W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PG-LSON-8-1

Pakki / hulstur

8-LDFN Exposed Pad

Grunnvörunúmer

IGLD60

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

448-IGLD60R190D1AUMA1DKR

448-IGLD60R190D1AUMA1TR

448-IGLD60R190D1AUMA1CT

SP001705426

Umhverfis- og útflutningsflokkun

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IGLD60R190D1AUMA3

FRAMLEIÐANDI

Infineon Technologies

Fjöldi í boði

2344

HLUTARNÁMR

IGLD60R190D1AUMA3-DG

Einingaverð

2.68

VÖRUVAL

Direct

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB60R125CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3

infineon-technologies

IPLK80R900P7ATMA1

MOSFET 800V TDSON-8

infineon-technologies

IPA60R360CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 5A TO220