Framleiðandi Vöru númer:
IAUS200N08S5N023ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IAUS200N08S5N023ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Birgðir:
552 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801006
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IAUS200N08S5N023ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 130µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7670 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOG-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerSMD, Gull Wing
Grunnvörunúmer
IAUS200
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,800
Önnur nöfn
IAUS200N08S5N023ATMA1DKR
IAUS200N08S5N023ATMA1CT
SP001792362
IAUS200N08S5N023ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IAUS300N08S5N012ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2284
HLUTARNÁMR
IAUS300N08S5N012ATMA1-DG
Einingaverð
2.92
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPA60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
BSP92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
