Framleiðandi Vöru númer:
IAUC100N10S5L054ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IAUC100N10S5L054ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 101A (Tj) 130W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Birgðir:
12997280
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IAUC100N10S5L054ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
101A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 64µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3744 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
130W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-34
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP005423079
448-IAUC100N10S5L054ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
R6004ENXC7G
600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
R6530ENXC7G
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
2SK3812-ZP-E1-AZ
MP-25LZP
