Framleiðandi Vöru númer:
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
FF11MR12W1M1B11BOMA1-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Module
Birgðir:
12848069
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolSiC™+
Staða vöru
Obsolete
Tækni
Silicon Carbide (SiC)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200V (1.2kV)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 40mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
250nC @ 15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7950pF @ 800V
Kraftur - hámark
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Pakki / hulstur
Module
Birgir tæki pakki
Module
Grunnvörunúmer
FF11MR12
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
24
Önnur nöfn
2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1
INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1_B11
SP001602204
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDMC8200S
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
FDMA2002NZ_F130
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
