Framleiðandi Vöru númer:
BSZ900N20NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
16519 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799398
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ900N20NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ900
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ900N20NS3GTR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1CT
BSZ900N20NS3GCT
BSZ900N20NS3G
BSZ900N20NS3 G
2156-BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GTR
BSZ900N20NS3GDKR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1DKR
BSZ900N20NS3GDKR
BSZ900N20NS3GATMA1TR
SP000781806
BSZ900N20NS3GCT-DG
INFINFBSZ900N20NS3GATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5