Framleiðandi Vöru númer:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ180P03NS3EGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
7934 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799533
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ180P03NS3EGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2220 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ180
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3EGATMA1TR
BSZ180P03NS3E G-DG
BSZ180P03NS3EGATMA1CT
BSZ180P03NS3EGATMA1DKR
SP000709740
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
