Framleiðandi Vöru númer:
BSZ160N10NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ160N10NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
58462 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801400
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ160N10NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 12µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ160
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ160N10NS3 GINTR-DG
BSZ160N10NS3 G-DG
BSZ160N10NS3 GINDKR-DG
BSZ160N10NS3GATMA1CT
BSZ160N10NS3 GINCT-DG
BSZ160N10NS3G
BSZ160N10NS3 GINDKR
SP000482390
BSZ160N10NS3 GINTR
BSZ160N10NS3 G
BSZ160N10NS3GATMA1DKR
BSZ160N10NS3GATMA1TR
BSZ160N10NS3 GINCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
