Framleiðandi Vöru númer:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
28939 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799085
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ130N03LSGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
970 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ130
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
BSS84PL6433HTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
