Framleiðandi Vöru númer:
BSZ0901NSATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ0901NSATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
4045 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12855382
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ0901NSATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2850 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ0901
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
2156-BSZ0901NSATMA1
BSZ0901NS
BSZ0901NSDKR-DG
BSZ0901NSDKR
BSZ0901NSTR
BSZ0901NSATMA1CT
INFINFBSZ0901NSATMA1
SP000854570
BSZ0901NSATMA1DKR
BSZ0901NSTR-DG
BSZ0901NSATMA1TR
BSZ0901NSCT
BSZ0901NSCT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDMS8820
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
10003
HLUTARNÁMR
FDMS8820-DG
Einingaverð
0.44
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NDS331N_D87Z
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
