BSZ0804LSATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

BSZ0804LSATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSZ0804LSATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Birgðir:

12975911
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSZ0804LSATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
OptiMOS™ 5
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8 FL
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ0804

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
ISZ0804NLSATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7025
HLUTARNÁMR
ISZ0804NLSATMA1-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
stmicroelectronics

STWA45N60DM2AG

PTD HIGH VOLTAGE

vishay-siliconix

IRFB11N50APBF-BE3

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

onsemi

NTD6N40-001

NFET DPAK 400V 1.1R

vishay-siliconix

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC