Framleiðandi Vöru númer:
BSZ018NE2LSIATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ018NE2LSIATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Birgðir:
24976 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799879
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ018NE2LSIATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2500 pF @ 12 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8-FL
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ018
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ018NE2LSIDKR
BSZ018NE2LSICT-DG
BSZ018NE2LSIATMA1CT
BSZ018NE2LSIATMA1DKR
SP000906032
BSZ018NE2LSICT
BSZ018NE2LSIATMA1TR
BSZ018NE2LSIDKR-DG
2156-BSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI-DG
IFEINFBSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSITR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
BSO033N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
IPD26N06S2L35ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
