Framleiðandi Vöru númer:
BSR802NL6327HTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSR802NL6327HTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
Birgðir:
127590 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801057
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSR802NL6327HTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 2.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 30µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.7 nC @ 2.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1447 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SC59-3
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
BSR802
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
BSR802NL6327HTSA1CT
BSR802NL6327HTSA1DKR
BSR802N L6327-DG
BSR802N L6327
BSR802N L6327INTR
SP000442484
BSR802NL6327HTSA1TR
BSR802N L6327INDKR-DG
BSR802N L6327INCT
BSR802NL6327
BSR802N L6327INDKR
BSR802N L6327INTR-DG
BSR802N L6327INCT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3