Framleiðandi Vöru númer:
BSP88H6327XTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP88H6327XTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
24558 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799813
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP88H6327XTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
240 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 108µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
95 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
BSP88H6327
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP88H6327XTSA1-DG
BSP88H6327XTSA1CT
BSP88H6327XTSA1DKR
SP001058790
2156-BSP88H6327XTSA1TR
BSP88H6327XTSA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
IPA037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220