Framleiðandi Vöru númer:
BSP373NH6327XTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP373NH6327XTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
7841 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800708
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP373NH6327XTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 218µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
265 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
BSP373
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP373NH6327XTSA1CT
BSP373NH6327XTSA1DKR
BSP373NH6327XTSA1TR
BSP373NH6327XTSA1-DG
SP001059328
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
