BSP300L6327HUSA1
Framleiðandi Vöru númer:

BSP300L6327HUSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSP300L6327HUSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Birgðir:

12830416
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSP300L6327HUSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4-21
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP300L6327HUSA1TR
INFINFBSP300L6327HUSA1
BSP300L6327XT
BSP300 L6327
2156-BSP300L6327HUSA1-ITTR
BSP300 L6327-DG
SP000089201

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
nexperia

BUK9107-55ATE,118

MOSFET N-CH 55V 75A SOT426

nexperia

NX7002BKMYL

MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3

nexperia

BUK763R9-60E,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

nexperia

PSMN030-60YS,115

MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56