Framleiðandi Vöru númer:
BSP171PE6327
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP171PE6327-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
12801300
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP171PE6327 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 460µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000012134
BSP171PE6327INTR
BSP171PE6327INCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BSP171PH6327XTSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3760
HLUTARNÁMR
BSP171PH6327XTSA1-DG
Einingaverð
0.30
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
NDT2955
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15870
HLUTARNÁMR
NDT2955-DG
Einingaverð
0.20
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
ZXMP6A13GTA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
ZXMP6A13GTA-DG
Einingaverð
0.23
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPL60R180P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
IPB50R199CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
BSS119L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3