Framleiðandi Vöru númer:
BSP170PE6327T
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP170PE6327T-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
12849472
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP170PE6327T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
410 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP170PE6327XTINTR
BSP170PE6327XTINCT
BSP170PE6327NTSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BSP170PH6327XTSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1867
HLUTARNÁMR
BSP170PH6327XTSA1-DG
Einingaverð
0.31
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
NDT2955
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15870
HLUTARNÁMR
NDT2955-DG
Einingaverð
0.20
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
ZXMP6A13GTA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
ZXMP6A13GTA-DG
Einingaverð
0.23
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
AO4484
MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC
FDP7030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
FDI025N06
MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
