BSP149H6327XTSA1
Framleiðandi Vöru númer:

BSP149H6327XTSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSP149H6327XTSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Birgðir:

25184 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799040
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSP149H6327XTSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
660mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET eiginleiki
Depletion Mode
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
BSP149

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
BSP149H6327XTSA1-DG
Gagnaplakks
BSP149H6327XTSA1
Gagnablöð
BSP149

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001058818
BSP149H6327XTSA1CT
BSP149H6327XTSA1DKR
BSP149H6327XTSA1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
infineon-technologies

BSC350N20NSFDATMA1

MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

infineon-technologies

BSC22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5

infineon-technologies

BTS282ZE3230AKSA2

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

infineon-technologies

BSL211SPL6327HTSA1

MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6