Framleiðandi Vöru númer:
BSG0813NDIATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSG0813NDIATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Birgðir:
12798877
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSG0813NDIATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET eiginleiki
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A, 33A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100pF @ 12V
Kraftur - hámark
2.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 155°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Birgir tæki pakki
PG-TISON-8
Grunnvörunúmer
BSG0813
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP001241676
448-BSG0813NDIATMA1CT
448-BSG0813NDIATMA1TR
2156-BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1-DG
INFINFBSG0813NDIATMA1
448-BSG0813NDIATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSZ0909NDXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
BSL308PEL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
BSO215C
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO