Framleiðandi Vöru númer:
BSF134N10NJ3GXUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSF134N10NJ3GXUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.2W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Birgðir:
5000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798616
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSF134N10NJ3GXUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2300 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.2W (Ta), 43W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakki / hulstur
3-WDSON
Grunnvörunúmer
BSF134
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSF134N10NJ3GXUMA1-DG
BSF134N10NJ3 G
BSF134N10NJ3G
BSF134N10NJ3 GDKR
SP000604536
2156-BSF134N10NJ3GXUMA1
IFEINFBSF134N10NJ3GXUMA1
BSF134N10NJ3 G-DG
BSF134N10NJ3GXUMA1DKR
BSF134N10NJ3GXUMA1CT
BSF134N10NJ3 GCT
BSF134N10NJ3 GTR-DG
BSF134N10NJ3 GDKR-DG
BSF134N10NJ3 GCT-DG
BSF134N10NJ3GXUMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRFB8407
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
BSC042N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
AUIRLR2703TRL
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
