Framleiðandi Vöru númer:
BSC320N20NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC320N20NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
23714 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798858
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC320N20NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2350 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC320
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC320N20NS3 GDKR
BSC320N20NS3 G-DG
SP000676410
BSC320N20NS3GATMA1CT
BSC320N20NS3 GDKR-DG
BSC320N20NS3 GCT-DG
BSC320N20NS3 GCT
BSC320N20NS3GATMA1TR
BSC320N20NS3 GTR-DG
BSC320N20NS3G
BSC320N20NS3 GTR
BSC320N20NS3 G
BSC320N20NS3GATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF7484Q
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
BSP315PE6327T
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSB014N04LX3GXUMA1
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON