Framleiðandi Vöru númer:
BSC190N12NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC190N12NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
29800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798707
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC190N12NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 42µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2300 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC190
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC190N12NS3 GCT-DG
BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GDKR-DG
BSC190N12NS3 GTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752
BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1DKR
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1CT
BSC190N12NS3 GDKR
BSC190N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC190N12NS3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRL1404S
MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
AUIRLS3114Z
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
BSP296 E6433
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
