Framleiðandi Vöru númer:
BSC123N08NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC123N08NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
36983 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798784
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC123N08NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1870 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 66W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC123
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC123N08NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC123N08NS3 GTR-DG
BSC123N08NS3GATMA1TR
BSC123N08NS3 GTR
BSC123N08NS3G
BSC123N08NS3 GDKR
BSC123N08NS3 GCT-DG
BSC123N08NS3 G-DG
BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 G
BSC123N08NS3GATMA1CT
BSC123N08NS3 GDKR-DG
BSC123N08NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
SP000443916
BSC123N08NS3GATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF1324WL
MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3
64-2120PBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BSP170PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
