Framleiðandi Vöru númer:
BSC093N04LSGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC093N04LSGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Birgðir:
29370 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799673
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC093N04LSGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-5
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC093
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC093N04LS G
SP000387929
BSC093N04LSGATMA1DKR
BSC093N04LS GDKR
BSC093N04LS GCT-DG
BSC093N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC093N04LS GTR-DG
BSC093N04LSGATMA1CT
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GDKR-DG
BSC093N04LS G-DG
BSC093N04LS GCT
BSC093N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC093N04LSGATMA1TR
BSC093N04LSG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
BSC059N03ST
MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3