Framleiðandi Vöru númer:
BSC0901NSATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC0901NSATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Birgðir:
32490 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12842781
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC0901NSATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-5
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC0901
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC0901NSCT-DG
BSC0901NSATMA1DKR
BSC0901NSTR
BSC0901NSATMA1CT
BSC0901NSDKR-DG
BSC0901NSDKR
BSC0901NSCT
BSC0901NS
BSC0901NSATMA1TR
BSC0901NSTR-DG
SP000800248
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTMFS5H425NLT1G
MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN
NTBV30N20T4G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
NTMFS4933NT1G
MOSFET N-CH 30V 20A/210A 5DFN