Framleiðandi Vöru númer:
BSC077N12NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC077N12NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
28553 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798587
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC077N12NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13.4A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5700 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
139W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC077
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC077N12NS3 GTR
BSC077N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC077N12NS3 GTR-DG
SP000652750
BSC077N12NS3 G-DG
BSC077N12NS3GATMA1TR
BSC077N12NS3 G
BSC077N12NS3 GCT-DG
BSC077N12NS3GATMA1DKR
BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3G
BSC077N12NS3 GDKR
BSC077N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3 GDKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRLR2905
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRFR3607TRL
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
64-6006PBF
MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC