Framleiðandi Vöru númer:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
10343 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799628
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
1IeP
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC060P03NS3EGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6020 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC060
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
