Framleiðandi Vöru númer:
BSC057N08NS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC057N08NS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Birgðir:
14602 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12840414
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
eavx
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC057N08NS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3900 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-5
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC057
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC057N08NS3 GCT-DG
BSC057N08NS3 G
BSC057N08NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC057N08NS3GATMA1TR
SP000447542
2156-BSC057N08NS3GATMA1TR
BSC057N08NS3GATMA1DKR
BSC057N08NS3 GDKR-DG
BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC057N08NS3 GDKR
BSC057N08NS3 GTR-DG
BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3GATMA1CT
BSC057N08NS3 G-DG
BSC057N08NS3 GTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
NVMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
