BSC022N04LSATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

BSC022N04LSATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSC022N04LSATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Birgðir:

18064 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12851884
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSC022N04LSATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2600 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-6
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC022

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC022N04LSATMA1TR
BSC022N04LSATMA1DKR
SP001059844
BSC022N04LSATMA1CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

FDS8896

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

onsemi

FDT439N

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

vishay-siliconix

IRFP15N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3

infineon-technologies

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON