Framleiðandi Vöru númer:
BSC019N02KSGAUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC019N02KSGAUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
12798465
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC019N02KSGAUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 350µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
85 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13000 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC019
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC019N02KSGAUMA1TR
448-BSC019N02KSGAUMA1TR
BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-DG
SP000307376
BSC019N02KSGAUMA1TR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BSC014NE2LSIATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
18735
HLUTARNÁMR
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
64-9144
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
AUIRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
AUIRF7759L2TR
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
