Framleiðandi Vöru númer:
BSC010NE2LSIATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC010NE2LSIATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Birgðir:
21251 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12832511
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC010NE2LSIATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4200 pF @ 12 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Hitastig rekstrar
-
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-7
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC010
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC010NE2LSIATMA1DKR
BSC010NE2LSIDKR
BSC010NE2LSIATMA1TR
BSC010NE2LSICT-DG
BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSIATMA1CT
BSC010NE2LSIDKR-DG
BSC010NE2LSITR-DG
BSC010NE2LSI-DG
SP000854376
BSC010NE2LSICT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PSMN5R0-100PS,127
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
BSC079N03LSCGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
BUK7M6R3-40EX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
