Framleiðandi Vöru númer:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
239 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12948663
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
AIMW120R045M1XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
52A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
+20V, -7V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2130 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
228W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
AIMW120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
