RF1S45N02L
Framleiðandi Vöru númer:

RF1S45N02L

Product Overview

Framleiðandi:

Harris Corporation

Völu númer:

RF1S45N02L-DG

Lýsing:

45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Birgðir:

999 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12974542
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

RF1S45N02L Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
90W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
533
Önnur nöfn
HARHARRF1S45N02L
2156-RF1S45N02L

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

G3035

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

onsemi

NVD360N65S3T4G

SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK

onsemi

NVB260N65S3

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

diotec-semiconductor

DI006P02PW

MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0