IRF711
Framleiðandi Vöru númer:

IRF711

Product Overview

Framleiðandi:

Harris Corporation

Völu númer:

IRF711-DG

Lýsing:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 350 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

6031 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12933670
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF711 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
350 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
135 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki
606
Önnur nöfn
HARHARIRF711
2156-IRF711

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

HUF76129D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDME0106NZT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

IRF841

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HRF3205_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET