Framleiðandi Vöru númer:
GT100N12K
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GT100N12K-DG
Lýsing:
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252
Birgðir:
2500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12997601
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GT100N12K Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2911 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
75W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
3141-GT100N12KTR
3141-GT100N12KCT
3141-GT100N12KDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
