GT088N06T
Framleiðandi Vöru númer:

GT088N06T

Product Overview

Framleiðandi:

Goford Semiconductor

Völu númer:

GT088N06T-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220

Birgðir:

50000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12978368
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

GT088N06T Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
SGT
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
75W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
4822-GT088N06T

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

GC20N65Q

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

G70N04T

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

goford-semiconductor

G70N04T

MOSFET N-CH 40V 70A TO-220

goford-semiconductor

G3404LL

N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M