Framleiðandi Vöru númer:
GT035N06T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GT035N06T-DG
Lýsing:
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
148 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12986834
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GT035N06T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
SGT
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5064 pF @ 30 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
215W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
3141-GT035N06T
4822-GT035N06T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDBL9406-F085HM
MOSFET
TW083N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
PJA3434-AU_R1_000A1
MOSFET 20V 750MA SOT-23
