Framleiðandi Vöru númer:
GC11N65F
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GC11N65F-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Birgðir:
10000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12978212
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GC11N65F Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
Cool MOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (hámark)
±30V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
38.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
4822-GC11N65F
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
3400
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
3400
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
1002
N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2