Framleiðandi Vöru númer:
G700P06J
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G700P06J-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Birgðir:
13002595
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G700P06J Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
4822-G700P06J
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
TSM150NB04LCV RGG
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
