Framleiðandi Vöru númer:
G66
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G66-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Birgðir:
13001951
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G66 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (hámark)
±8V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
1.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-DFN (2x2)
Pakki / hulstur
6-WDFN Exposed Pad
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
4822-G66TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
DIGI vottun
Tengdar vörur
FCPF360N65S3R0-F154
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
IPP023N10N5XKSA1
TRENCH >=100V
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
