Framleiðandi Vöru númer:
G60N10T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G60N10T-DG
Lýsing:
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
86 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12999086
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
5vJC
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G60N10T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3970 pF @ 50 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
132W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
3141-G60N10T
4822-G60N10T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TSM60NC196CI
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SIR5623DP-T1-RE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER