G60N10T
Framleiðandi Vöru númer:

G60N10T

Product Overview

Framleiðandi:

Goford Semiconductor

Völu númer:

G60N10T-DG

Lýsing:

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220

Birgðir:

86 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12999086
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
5vJC
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

G60N10T Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3970 pF @ 50 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
132W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
3141-G60N10T
4822-G60N10T

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
taiwan-semiconductor

TSM60NC196CI

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIR5623DP-T1-RE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33

30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CH

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER