Framleiðandi Vöru númer:
G33N03D52
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G33N03D52-DG
Lýsing:
MOSFET N+N-CH 30V 33A DFN5*6-8L
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Birgðir:
5000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12988082
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G33N03D52 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
29W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DFN5*6
Pakki / hulstur
DFN5*6
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
4822-G33N03D52TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP4110PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
GT700P08T
MOSFET P-CH 80V 25A TO-220
EPC2218A
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
