Framleiðandi Vöru númer:
G30N02T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G30N02T-DG
Lýsing:
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
12978363
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G30N02T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
900 pF @ 10 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
40W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
3141-G30N02T
4822-G30N02T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
