G160P03KI
Framleiðandi Vöru númer:

G160P03KI

Product Overview

Framleiðandi:

Goford Semiconductor

Völu númer:

G160P03KI-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252

Birgðir:

13002761
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

G160P03KI Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
4822-G160P03KITR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Valkostamódeli

Partanúmer
G160P03KI
FRAMLEIÐANDI
Goford Semiconductor
Fjöldi í boði
4700
HLUTARNÁMR
G160P03KI-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

GT045N10M

N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V

goford-semiconductor

G1K1P06HH

P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT

diodes

DMN1019USNQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K

vishay-siliconix

SQS182ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)