Framleiðandi Vöru númer:
G12P10KE
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G12P10KE-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252
Birgðir:
13001990
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G12P10KE Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
4822-G12P10KETR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
DIGI vottun
Tengdar vörur
ICE15N60FP
Superjunction MOSFET
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
